半自動永久鍵合機
Model: SPB-08
晶圓尺寸 / Wafer Size：≤ 200mm(8")
鍵合壓力 / Bonding Force：≤ 100kN
鍵合溫度 / Bonding Temperature：≤ 550°C (Option : 650 °C)
腔體真空 / Chamber Vacuum：1×10-5mbar (Option : 10-6mbar)
鍵合製程 / Bonding Method：熱壓鍵合(Thermo Compression Bonding)，熔融鍵合(Fusion Bonding)，陽極鍵合(Anodic Bonding)，共晶鍵合(Eutectic Bonding)，膠合(Adhesive Bonding)
